2021-09-15TAG:IGBT雙極型逆變器模組絕緣

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效電晶體）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低...

2021-09-14TAG:製造商SiC碳化矽IGBTCree

德國半導體制造商英飛凌科技公司（Infineon Technologies）預計，在汽車需求增長的帶動下，截至今年9月的當前財年，其碳化矽業務將翻一番，達到1...

2021-06-19TAG:比亞迪IGBT晶片半導體跨界

倘若比亞迪半導體成功上市，中國市場將誕生百億晶片黑馬，這將促進我國晶片行業的良好發展...

2021-04-14TAG:IGBT導通電機橋臂三相

圖3為了能夠將輸入的直流變成交流電，6個IGBT會從T1~T6（或VD1~VD6）依序迴圈的導通和關閉，並依次的間隔60°順序導通（或關斷），U/V/W三相的相位差為120°，這也就意味著和第一相（U相）上橋臂導通（或關斷）時刻間隔120°...