汽車製造商正在與碳化矽（SiC）功率器件供應商合作，以確保交貨，因為他們希望避免類似於持續的全球半導體短缺之類的供應緊縮。

電動汽車（EV）使用越來越多的電源管理裝置，包括金氧半導體場效應電晶體（Mosfets）和絕緣柵雙極電晶體（IGBT）。IGBT用於切換傳動系統中的電流，而Mosfets用於傳動系統，電池管理系統和電壓轉換器。

製造商正逐漸從使用矽轉變為碳化矽，在某些情況下甚至是氮化鎵（GaN）。SiC器件的價格高於矽器件，但透過在更高的溫度和頻率下執行，它們使EV電池更加高效，並降低了整體系統成本。

總部位於美國的生產Cree和GaN功率器件的Cree執行長Gregg Lowe表示，節省成本的做法正鼓勵汽車製造商將SiC納入新的電動汽車設計中。Lowe說，汽車業務約佔公司100億美元裝置生產線的一半。

半導體供應短缺造成的生產限制促使汽車製造商和原始裝置製造商（OEM）著眼於其他元件的供應鏈，包括Mosfet和IGBT。

勞說：“汽車製造商和一級供應商對我們的供應鏈的關注非常高而且非常敏銳。”

同樣，總部位於美國的安森美半導體注意到一級和全球電動汽車OEM對電動汽車的SiC和IGBT產品的強勁需求，其中一些最近已推出了新的平臺和充電應用。該公司還觀察到汽車製造商處理供應鏈方式的轉變。

德國半導體制造商英飛凌科技公司（Infineon Technologies）預計，在汽車需求增長的帶動下，截至今年9月的當前財年，其碳化矽業務將翻一番，達到1。7億歐元，此前曾預計增長70％。

產能擴張加速，公司正在增加產能擴充套件或使工廠開工以滿足不斷增長的需求。

Cree於3月推出了四款新型SiC器件，該財年將斥資5。5億美元將其SIC材料和晶圓的產量擴大30倍。這項投資是五年7。2億美元資本支出預算的一部分，其中包括在美國紐約州建造的晶圓製造廠，該廠計劃於2022年開始運營。北卡羅來納。

Cree預計，根據汽車製造商的生產時間表，SiC需求將在2024年及以後加速增長。Lowe說：“我們並沒有預料到這一點。但是，對於其中一些人來說，當他們開始押注碳化矽時，在隧道盡頭的產能和在相對較短的時間內肯定是一個不錯的曙光。”

英飛凌開始擴大其用於汽車逆變器的碳化矽產品的生產。Ploss說，它於三月份開始在奧地利的新制造工廠安裝裝置。該公司將工廠的生產開始提前到9月結束的會計年度的最後一個季度。而且它正在增加對產能的投資，在需求疲軟的情況下於2019年對其進行了下調。