每天資訊碳化矽基板——三代半導體的領軍者

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碳化矽基板——三代半導體的領軍者

碳化矽(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在於導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化矽化學和物理穩定性,碳化矽的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是極其優秀的陶瓷材料。

碳化矽基板——三代半導體的領軍者

(資料來源:京瓷官網)

碳化矽(SiC)的市場前景

隨著資訊科技的飛速發展,我國對半導體需求越來越多,我國已經成為全球最大的半導體消費國,半導體消費量佔全球消費量的比重超過40%,其中以碳化矽材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元,同比增長15。77%。2020年H1,中國積體電路產業銷售額為3539億元,同比增長16。1%。

碳化矽基板——三代半導體的領軍者

碳化矽(SiC)的應用

碳化矽(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,也是目前製造水平最成熟,應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一,憑藉碳化矽(SiC)陶瓷材料自身優異的半導體效能,在各個現代工業領域發揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。斯利通敏銳地察覺到了如此的市場機遇,推出了碳化矽封裝基板,廣受客戶的好評。由於碳化矽功率器件可顯著降低電子裝置的能耗,因此碳化矽器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。

碳化矽基板——三代半導體的領軍者

各類電機系統

在高壓應用領域,使用碳化矽陶瓷基板的半導體碳化矽功率器件,功耗降低效果明顯,裝置的發熱量大幅減少,同時可減少最高92%的開關損耗,還能讓裝置的冷卻機構進一步簡化,裝置體積小型化,大大減少散熱用金屬材料的消耗。

半導體

LED

照明領域

碳化矽(SiC)在大功率LED方面具有非常大的優勢,採用碳化矽(SiC)陶瓷基板的LED期間亮度更高、能耗更低,使用週期更長、單位芯片面積更小。

新能源汽車

新能源汽車產業要求逆變器在處理高強度電流時,具有遠超出普通工業用途逆變器的可靠性;具有更好的散熱性,高效、耐高溫、可靠性高的斯利通碳化矽(SiC)陶瓷基板完全符合新能源汽車要求。碳化矽(SiC)陶基板小型化的特點可大幅削減新能源汽車的電力損失,使其在各種惡劣的環境下仍能正常工作。

碳化矽基板除了在新能源汽車節能中佔有重要地位外,在高鐵、太陽能光伏、風能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領域均起到了卓越的作用。斯利通將秉持以“科技為動力,市場為導向”的原則,以工匠精神,源源不斷為顧客打造高品質產品,採用更多的尖端技術,持續地為客戶創造更多價值,竭盡全力提供更令人滿意的,更人性化的服務,堅持與客戶做到合作共贏。