SiC 是目前相對成熟、應用最廣的寬禁帶半導體材料，基於 SiC 的功率器件相較 Si 基器件具有耐高壓、耐高溫、抗輻射、散熱能力佳、導通損耗與開關損耗更低、開關頻率更高、可減小模組體積等傑出特性，不僅可廣泛用於電動汽車驅動系統、列車牽引裝置、充電樁、開關電源、光伏逆變器、伺服電機、高壓直流輸電裝置等民用場景，還可顯著提升戰鬥機、戰艦等軍用系統裝備的效能。

SiC應用場景

1.新能源汽車

車載充電機（OBC）

：車載充電機是指固定在汽車上，可將地面的交流充電樁輸入的交流電轉換為直流電，直接給動力電池充電，充電過程中宜由車載充電機提供電池管理系統（BMS）、充電接觸器、儀表盤、冷卻系統等低壓用電電源。車載充電機由輸入埠，控制單元，功率單元，低壓輔助單元和輸出埠等部件組成。車載充電機一般為兩級電路，前級為PFC級，即功率因數校正環節，實現電網交流電壓變為直流電壓，且保證輸入交流電流與輸入交流電壓同相位，根據實際設計功率需求的不同，可採用多級Boost電路並聯進行擴容；後級為DC/DC級，實現PFC級輸出直流電壓變為所需充電電壓，實現恆流/恆壓充電功能，並保證交流高壓側與直流高壓側的電氣絕緣。SiC二極體及MOSFET器件則可用於車載充電機PFC和DC-DC次級整流環節，推動車載充電機向雙向充放電、整合化、智慧化、小型化、輕量化、高效率化等方向發展。

車載充電機結構圖

電機驅動器：

將碳化矽功率器件作為電機驅動器的開關器件可顯著降低損耗。其中，SiC BJT 構成的驅動器損耗降低了53%；當頻率升高時，損耗還會進一步降低，開關頻率為 15 kHz 時，SiC BJT驅動器的損耗降低了67%。

特拉斯是全球率先採用碳化矽逆變器的車企，其Model 3採用了意法半導體推出的650V SiC MOSFET逆變器，相較Model X等車型上採用的IGBT能帶來5%～8%的逆變器效率提升，對電動車的續航能力有著顯著提升；之後相繼推出的Model Y以及Model S Plaid也採用了SiC技術。此外，比亞迪·漢EV高效能四驅版本也搭載了SiC器件，為國內首款採用SiC技術的車型。蔚來計劃今年釋出的純電轎車也將搭載採用SiC模組的第二代電驅平臺。預計未來將有越來越多的新能源車型採用碳化矽器件以全面替代矽基IGBT，為碳化矽器件帶來巨大的市場需求。

特斯拉Model 3採用搭載SiC MOSFET的逆變器

2.直流充電樁

直流充電樁又稱快充充電樁，內部包含電源模組、計費系統、通訊及控制系統、讀卡及授權系統等，其中電源模組是核心部件，佔裝置總成本的50%，可將電網中的交流電轉換為直流電為汽車動力電池充電。因SiC基電晶體可以實現比矽基功率器件更高的開關頻繁，因此可以提供高功率密度、超小的體積，將在直流充電樁應用領域加速市場滲透。

120kw直流充電樁內部結構圖

3.軌道交通

碳化矽功率器件相較傳統矽基IGBT能夠有效提升開關頻率，降低開關損耗，其高頻化可以進一步降低無源器件的噪聲、溫度、體積與重量，提升裝置應用的機動性、靈活性，是新一代牽引逆變器技術的主流發展方向。在“碳中和、碳達峰”目標指引下，碳化矽功率器件將加速在軌道交通領域的滲透。目前株洲中車時代聯合深圳地鐵集團基於3300V等級高壓大功率SiC MOSFET的高頻化應用自主開發了地鐵列車全碳化矽牽引逆變器，在節能方面表現優異，經裝車試驗測試，同比傳統矽基IGBT牽引逆變器的傳動系統，綜合能耗降低10%以上，牽引電機在中低速段噪聲同比下降5分貝以上，溫升同比降低40℃以上。

全碳化矽永磁直驅地鐵列車

4.光伏與風電

太陽能和風能發電系統是分別利用光伏電池板和風力帶動發電機，直接將太陽能或風能轉換成電能的發電系統，都需要以逆變器作為介面連線電網從而實現發電。為實現發電系統高效、穩定地執行，對逆變器提出了更為嚴苛的要求，需要相關半導體器件具有較大的擊穿場強、耐高溫、耐高壓並能夠工作在更高的開關頻率下。傳統矽基器件由於材料固有特性限制了其在高溫、高壓、高效率場景的應用。SiC基功率器件是其完美替代者，其中SiC MOSFET是高速低損耗功率開關中最有前景的器件之一。

目前陽光電源應用SiC器件的組串逆變器已廣泛應用於全球市場；國家能源集團北京低碳清潔能源研究院自主開發了全球首個超薄全碳化矽高頻隔離光伏逆變器，與現有光伏逆變器相比具有體積小、重量輕等優點，既降低了系統成本，又提高了系統效率和系統安全性，可以以此構建低成本高效率的光伏建築一體化電氣系統。

低碳院自主開發的新型全碳化矽超薄光伏逆變器

5.智慧電網

傳統電網正在向智慧電網轉變，智慧化電網裝置及更優良器件的應用是實現其集智慧、靈活、互動、相容、高效等多功能於一體的關鍵。傳統矽基電力電子變壓器已在小功率電網領域實現了部分應用，但由於損耗大、體積大等缺陷尚無法在高壓大功率的輸電領域展開應用。比如目前商用矽基IGBT的最大擊穿電壓僅為6．5 kV，所有的矽基器件都無法在200℃以上正常工作，很大程度上降低了功率器件的工作效率。而碳化矽基功率器件能很好地解決這些問題，碳化矽功率器件關斷電壓最高達200 kV和工作溫度高達600℃。碳化矽基功率開關由於具有極低的開啟態電阻，並且能應用於高壓、高溫、高頻場合，是矽基器件的理想替代者，另如果使用碳化矽功率模組，與使用矽功率電源裝置相比，由開關損失引起的功率損耗可降低5倍以上，體積與重量減少40%，將對未來電網形態和能源戰略調整產生重大影響。

6.工業控制

基於SiC的功率半導體器件可在高溫、高壓、高頻、強輻射等極端環境下工作，效能優勢突出，將其應用於電機驅動領域，不僅可降低驅動器的體積、重量、損耗，提升功率密度，還能有效減少音訊噪聲並提升電機響應效能，這對於我國突破高階伺服電機技術和實現高效能伺服電機及驅動器國產化具有重要意義。邁信電氣與英飛凌合作開發了基於SiC-MOSFET自然散熱設計的一體化伺服電機系統，其功率板選用6顆30mΩ-SMD封裝的CoolSiC MOSFET，具有較低的導通損耗、開關損耗、優異的開關速度可控性和散熱效能。

基於SiC-MOSFET自然散熱設計的一體化伺服電機系統

7.家電

以空調為代表，為進一步減小電抗體積，最佳化整體結構，提高系統效率，變頻空調PFC頻率已由目前主流的40kHZ，向70kHZ、80kHZ甚至更高的頻率設計，這對IGBT和FRD提出了越來越高的高頻要求。目前已有空調廠家開始選用碳化矽二極體，比傳統矽快回復二極體具有更小的正向導通壓降，更高的耐溫及高溫穩定性，PFC效率能提升0。7 ~ 1個百分點，由於碳化矽二極體反向恢復時間很短，減輕了加在IGBT上的漏電流，可使IGBT溫度降低約2℃～3℃，提升了系統整體效能和可靠性。對於IGBT來說，碳化矽MOS是一個不錯的選擇；同時整合碳化矽二極體+IGBT或者碳化矽MOS的模組也是一個較優選擇。

理論上，只要是PFC或者升壓電路、高壓或高功率電源場景都會有碳化矽的應用機會，比如TV（商用顯示器或者特殊功能顯示器）、商用滾筒洗衣機、高階微波爐、高階電飯煲等，及其他大於500W的PFC拓撲結構電路。且功率越大，電壓越高的場合，用碳化矽的優勢越明顯，能夠提高系統效率，減小板子尺寸，最佳化系統結構，從而設計出效能更優，可靠性更高的產品。

目前瑞能半導體的碳化矽產品已經批次供貨給國內主要空調廠商使用；而以美的、格力為代表的家電廠商目前也正在重點佈局碳化矽功率器件領域，其中2019年，美的與三安光電進行合作共同成立第三代半導體實驗室，聚焦在GaN、SiC半導體功率器件晶片與IPM（智慧功率模組）的應用電路相關研發，並將其匯入白色家電；2021年，格力公開了“碳化矽肖特基半導體器件”專利，可以在降低正向工作電壓的同時，提高擊穿電壓，因而能夠降低正向導通損耗，提高工作效率。

8.快充電源

近年來，隨著USB PD快充技術的普及和氮化鎵技術的成熟，大功率快充電源市場逐漸興起，碳化矽二極體可助力快充電源實現更高的效率和更小的體積，逐漸在消費類電源市場中嶄露頭角，目前倍思120W快充、MOMAX 100W 快充，以及REMAX 100W快充率先匯入了碳化矽技術。在大功率快充電源產品中，碳化矽二極體主要用於PFC級的升壓整流，其搭配氮化鎵功率器件，可以將PFC級的工作頻率從傳統快充的不足100KHz提升到300KHz，不僅減小升壓電感體積，實現高功率密度的設計，同時也讓電源的效率得到了大幅提升。

基本半導體SMBF封裝碳化矽肖特基二極體

9.不間斷電源（UPS）

IGBT因同時具有MOSFET易於驅動，控制簡單，開關頻率高的優點，以及功率電晶體導通電壓低，通態電流大的效能特點，廣泛應用於不間斷電源系統（UPS）。使用IGBT的UPS具有效率高、抗衝擊能力強、可靠性高的優點，但有一個明顯的缺點，即開關的速度越快（以獲得更高的精度），電力損失就越高。而採用碳化矽則可改變這一缺陷，應用在UPS上可實現更加高效節能。模組層面上，碳化矽主要有兩個優點：更小的晶片尺寸和更低的動態損耗。更低的動態損耗可帶來輸出功率的顯著增加，且無需額外的冷卻能力，將提供減輕重量和減小體積的機會。

10.LED照明

碳化矽在大功率LED方面具有非常大的優勢，基於碳化矽的LED能夠實現亮度更高、能耗更低，使用週期更長、單位芯片面積更小。碳化矽LED照明裝置能將原LED燈使用數量下降1／3，成本下降40～50％，而亮度卻提高兩倍，導熱能力提高10倍以上。如果大規模使用碳化矽LED照明替代白熾燈及熒光燈，對於我國節約用電，減少煤炭的消耗與CO2的排放具有重大意義。