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比亞迪推出高功率SiC(碳化矽)電機控制模組,效能可進一步升級

日前,比亞迪半導體推出了全新「1200V 1040A SiC」功率模組,這個標準又一次實現了國際領先優勢。

然而什麼是SiC?

這些專業術語是大部分汽車愛好者都不懂得,所以咱們就來白話地講一講這項新技術。

比亞迪推出高功率SiC(碳化矽)電機控制模組,效能可進一步升級

SiC指的是碳化矽陶瓷,這是一種在微電子、汽車、航空航天等諸多領域都有廣泛應用的材料;其特點是高溫強度高,工作溫度的極限可以達到1600-1700攝氏度;其次則是耐高壓和高頻,再加上理想的熱傳導能力,這種效能特點決定了可以用於高功率半導體上。

比亞迪推出高功率SiC(碳化矽)電機控制模組,效能可進一步升級

這樣的描述可能還是會感覺有些“雲裡霧裡”,那就這麼說吧:相比普通的矽基半導體,SiC的碳化矽半導體的體積可以變得更小,其次在充放電的過程中可以減少熱損失,讓更多的能量不成為無用的熱能,更多

轉化為電能。

減少電能損耗,這是碳化矽半導體的核心優勢。

基於材料特性和碳化矽半導體的水平不斷地提升,車輛可以用更小容量的動力電池組實現更長的續航,也可以進一步提高車輛的效能。

比亞迪推出高功率SiC(碳化矽)電機控制模組,效能可進一步升級

之前的比亞迪功率半導體標準又有多高呢?

標準分別為1200V 840A/700A,

比亞迪的全新碳化矽半導體實現了1200V 1040A的標準,該標準應當能實現比亞迪汽車效能的進一步提升,而現在效能最強的比亞迪汽車似乎已經實現了3。7秒破百,效能再高就有些誇張了,也許全新高階品牌星際可能會以這些全新技術打造2秒級別的超級跑車吧。

比亞迪推出高功率SiC(碳化矽)電機控制模組,效能可進一步升級

全新的功率模組採用了雙面燒結工藝,與傳統的焊接工藝相比,連線成的熱傳導效率提升了10倍,重點是可靠性提升了5倍;模組的工作

結溫

可以達到175攝氏度,這個資料說明了比亞迪全新功率模組不僅是國貨之光,在國際上也是領先水平。

現在的比亞迪有晶片設計、圓晶製造、模組封裝和測試應用的全套技術,比亞迪半導體已經有相當高的市場佔有率,不僅能滿足自用同時可實現外供;下一步值得期待的是比亞迪的光刻機,一旦跨出這一步,比亞迪攜手華為,加上中芯國際和上海微電子,實現的必然是多領域的逆襲。

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編輯:天和Auto-汽車科學島

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