文/科技圈說事

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關注科技圈的朋友都知道，根據相關資料顯示，我國已經連續16年穩居全球晶片市場首位，在剛剛過去的一年我們更是購買了全球80%的晶片。

但是

從近兩年開始，中國晶片製造產業不得不開始想辦法突圍了，一方面是由於國際上的斷供，另一方面也是因為全球範圍內的“缺芯”危機愈演愈烈。

不過由於一些關鍵“可脖子”技術的存在，國產晶片若想實現突圍並不容易。

好在根據相關資料顯示，

積體電路產業已經被列為我國科技攻關的七大前沿領域之一，中科院等“國家隊”也紛紛下場將光刻機等核心關鍵技術列入科研攻關清單。

而就在近一段時間，國產晶片已經在多個環節實現大突破，並且正在向7nm工藝發起衝鋒，國產晶片突圍進入倒計時！

多個環節大突破，衝擊7nm工藝

首先是在半導體裝置方面，近日我國相關機構迎來了兩大突破，即EUV光源突破與離子注入機全譜系產品國產化。

據悉，今年2月底清華大學團隊基於SSMB原理，完成了大功率EUV光源的突破，該光源將有望成為下一代EUV光刻機的核心光源，目前該成果已經發表於《自然》。

簡單來說，這次突破成功解決了未來國產EUV光刻機中最核心的光源卡脖子技術，為EUV光刻機國產化打下了堅實的基礎。

此外，

在3月22日的時候，根據中國電子科技集團釋出的訊息，其旗下子集團已經成功實現離子注入機全譜系產品國產化，工藝階段覆蓋至28nm，擁有413項核心發明專利。

其次，在晶片製程工藝方面，中芯國際已經開始向7nm工藝發起衝鋒。

根據中芯國際近日釋出的最新訊息顯示，其擴建的finfet技術已經成功量產，第二代finfet技術也正在風險試產。這是什麼意思呢？

需要知道的是，早在之前

梁孟松博士就已經透露，中芯國際已經完成7nm技術的開發，預計今年4月份即可開始風險試產，所以這次試產所採用的應當就是第二代finfet技術。

而

一旦中芯國際能夠量產7nm晶片，那也就意味著我們已經一隻腳邁進了高階晶片製造領域，未來的5nm，3nm也只是時間問題。

值得注意的是，

根據愛企查資料顯示，中國電子科技集團乃是註冊資本高達200個億的國有獨資企業，妥妥的“國家隊”。

這無疑再一次說明晶片製造雖然很難，但是在“國家隊”和中企的通力合作之下，這些都將不再是問題！

美半導體協會“急了”

有意思的是，眼看中國半導體迎來多個環節的大突破，美半導體行業協會開始“急了”。

在3月20日開幕的中國發展高層論壇上，美國半導體行業協會總裁兼CEO諾弗爾“語重心長”地表達了三個觀點：

第一，當前半導體產業全球分工是合理的，中國把自己擅長的封裝測試幹好就行了；

第二，晶片整個生產過程美國早已經規劃，即“美國負責研發設計、日韓負責晶片製造”；

第三，目前還沒有一個國家可以完全讓晶片供應鏈自主化，國家也不應當追求供應鏈本土化。

簡單來說，

諾弗爾的意思就是中國不應該嘗試晶片供應鏈自主化，現在的半導體格局是最合適的了

（諾弗爾同時也有建議減少晶片出口限制，因為他認為這會阻礙創新）。

但是事實呢？

中國既然是最大的晶片市場消耗國，那麼憑什麼要由他們決定哪些東西可以賣給我們，哪些東西不可以賣給我們？

此外，又

憑什麼高利潤的設計和製造環節要完全由他們把控，而我們只能做低利潤的後期封裝與測試？

寫在最後

科技是無國界的，產業鏈全球化也沒錯，但是科技的應用是有國界的，產業鏈的服務物件也是有國界的。

在我們沒有發力發展晶片產業自主化之前，他們是想卡脖子就卡脖子，想斷供就斷供。就連我們想要國產化一個晶片製造的裝置，他們也要嘲諷“給圖紙也造不出”。

現在我們既然下定決心自己造了，那麼他們再怎麼花言巧語也沒用了。大家怎麼看呢？