12月28日，“2021硬核中國芯評選頒獎盛典”在線上舉行。掌握核“芯”技術、堅持自主創新，比亞迪半導體斬獲“2021年度最具影響力IC設計企業獎”。同時，參評的IGBT 5。0晶片依靠出色的效能、精妙的佈局設計等優勢奪得“2021年度最佳功率晶片獎”！

本次評選匯聚百餘家國內半導體知名企業，由40萬工程師、40位專家評委線上評分/投票決出，採取“五大維度+雙審制”的嚴謹評審制度，共同發掘最具實力的優秀中國芯企業與產品。

比亞迪半導體主要從事功率半導體、智慧控制IC、智慧感測器、光電半導體、製造及服務，產品廣泛應用於汽車、能源、工業、消費電子等領域。得益於國家對積體電路產業的大力推動，近幾年國內半導體企業發展增速。比亞迪半導體專注產品設計，於細微處見精湛技藝，只為造就一流產品。卓越設計能力、高水準服務及專業化品質，使其繼連續多年榮獲2021中國IC設計成就獎之“十大中國IC設計公司”之後，再度榮膺行業獎項“2021年度最具影響力IC設計企業獎”。

據Omdia資料統計，功率器件市場規模在2024年將增長到172億美元，相比2020年將近有18%的增長率，國產功率器件廠商迎來新機遇。

自2002年進入半導體領域以來，比亞迪半導體在2009年便推出國內首款自主研發的 IGBT 晶片，2018年推出 IGBT4。0 晶片並樹立國內中高階車用IGBT新標杆。

本次參評的IGBT5。0——Trecnch FS IGBT採用了微溝槽結構及複合場中止技術，實現了超低的導通損耗和開關損耗，並且由於經過極致調教的複合場終止技術，實現了軟關斷。該產品效能與國際同類型產品效能相當，Vcesat、Eoff、可靠性等引數均國內領先。IGBT5。0晶元厚度低於75μm，電流密度超過260A/cm2，VCEsat低於1。4V，關斷損耗低於0。04A/mJ，模組產品最大輸出功率高達180KW。目前，其已批次應用於內、外部新能源汽車以及國內知名商業空調、變頻空調領域。

IGBT5。0的優異效能來源於其將溝槽柵密度提升了5倍以上，並對元胞進行了精妙的佈局設計，結合最佳化的複合場終止結構，使得其綜合特性及能耗接近國際上最先進的微溝槽IGBT。