光罩版

業界又被稱為光掩模版、掩膜版，英語名 MASK 或 PHOTOMASK），材料：石英玻璃管、金屬鉻和感光膠，該裝置是由石英玻璃管做為襯底，在其上邊鑲上一層金屬鉻和感光膠，變成一種感光原材料，把已構思好的電源電路圖型根據電子器件鐳射切割裝置曝光在感光膠上，被曝光的地區會被顯影液出去，在金屬鉻上產生電源電路圖型，變成相近曝光後的膠片的光掩模版，隨後運用於對積體電路晶片開展投射精準定位，根據積體電路晶片光刻機對所投射的電源電路開展光蝕刻加工，其生產製造工藝流程為：曝光，顯影液，去感光膠，最終運用於光蝕刻加工。

構造

實體線構造：鋪滿積體電路晶片圖象的鉻金屬材料片材的石英石玻璃鏡片上的圖象。

倍縮光掩模（Reticle）：當鉻膜夾層玻璃僅能部分遮蓋圓晶稱之為倍縮光掩模，通常圖形要變大4倍、5倍或10倍。

光掩模（Mask）：當鉻膜夾層玻璃上的圖形能遮蓋全部圓晶時稱作光罩。

光刻

光刻（英文：photolithography）是半導體元器件生產製造加工工藝中的一個關鍵流程，該流程運用曝光和顯影液在光刻表面層上描繪幾何圖構造，隨後根據離子注入加工工藝將光掩模上的圖案遷移到所屬襯底上。這兒所指的襯底不但包括矽晶圓，還能夠是別的金屬材料層、物質層，比如夾層玻璃、SOS中的藍色寶石。

最先，根據鍍覆全過程，在矽襯底上佈局一層僅數奈米技術厚的金屬材料層。隨後在這裡層金屬材料上揉弄一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外光）後可以被特殊水溶液（顯影液）融解。使特殊的光波越過光掩膜直射在光刻膠上，可以對光刻膠開展可選擇性直射（曝光）。隨後應用前邊看到的顯影液，融解掉被陽光照射的地區，那樣，光掩模上的圖型就展現在光刻膠上。通常還將根據烘乾處理對策，改進剩下一部分光刻膠的一些特性。

以上流程進行後，就可以對襯底開展可選擇性的離子注入或離子注入全過程，未被分解的光刻膠將維護襯底在這種全過程中不被更改。

離子注入或離子注入進行後，將開展光刻的最後一步，將要光刻膠除去，以便於開展半導體元器件生產製造的別的流程。通常，半導體元器件生產製造全部流程中，會開展很多次光刻步驟。生產製造繁雜積體電路晶片的加工工藝流程中有可能必須開展高達50步光刻，而生產製造塑膠薄膜需要的光刻頻次會少一些。