美國修改規則後，晶片就成了國內企業重點發展的方向，大量的晶片像雨後春筍一般，國家也大力支援發展半導體晶片。

其中，華為全面進入晶片半導體領域，訊息稱，華為要研發突破相關光刻機技術、光電晶片等技術，還要儲備自主晶片生產線。

國內頂尖研發機構也將光刻機技術作為首要突破的技術，而上海微電子也在加速國產先進光刻機的發展，預計今年下線全新國產先進的光刻機，可以用其製造7nm晶片。

最主要的是中芯，其先後突破14nm和N+1工藝的晶片，並用14nm工藝量產了麒麟710系列晶片。

另外，在晶片製造方面，中芯14nm晶片的良品率已經追平臺積電，而N+1工藝的晶片也進入規模量產階段。

要知道，中芯N+1工藝的晶片與臺積電7nm的晶片很相似，只不過，N+1工藝的晶片主打低功耗，但今年將有主打高效能的N+2晶片。

中芯即將風險試產，臺積電、三星只能接受現實

據悉，目前僅有三星和臺積電能夠量產7nm以下製程的晶片，但中芯梁孟松之前曾表示，中芯已經完成了7nm的晶片開發任務，將會在4月份風險市場。

如今，已經進入3月份下，也就是說，中芯即將風險試產7nm的晶片，而臺積電、三星只能接受現實，7nm晶片領域內，即將多一個玩家。

訊息稱，中芯對成功風險試產7nm晶片的信心相當足，因為N+1工藝晶片的邏輯面積與臺積電7nm很相似。

另外，中芯也可能是採用多次曝光工藝製造7nm晶片，為了保證以後的產能，中芯已經與ASML簽訂了12億美元的光刻機協議。

也就是說，中芯成功試產7nm晶片後，全球就將會多一家能夠生產製造7nm晶片的企業，屆時，臺積電和三星的7nm晶片訂單就有了新的對手。

當然，除此之外，中芯的晶片製造技術發展也很快，3年時間就從28nm進步到7nm，並且，14nm晶片的良品率短時間內追平了臺積電。

所以才說臺積電、三星只能接受現實。

更何況，中芯還在不斷擴大晶片產能，今年將把部分產品的產能提升至4。5萬片/月，還在北京、深圳等地區建設的新工廠。

中芯將進入發展的快車道

晶片製造技術已經面臨天花板，2nm製程的晶片或將是極限，或許正是因為如此，臺積電才聯合蘋果共同研發2nm晶片。

這意味著晶片企業將尋找其它出路，以提升晶片的效能，並降低成本製造的成本。

據悉，中芯蔣尚義已經明確表示，先進的封裝技術和積體電路技術將能夠達到單一晶片的效能，其也就是所謂小晶片。

而在小晶片方面，AMD已經取得了成功，這意味著中芯蔣尚義的方案是可行的，而在小晶片領域內，蔣尚義一直在前進，自然能夠帶來中芯在這方面領先。

也就是說，小晶片可能會成為中芯彎道超車的幾乎，畢竟臺積電和三星都在將更多精力放在3nm和2nm晶片上。

再加上，中芯目前正在不斷擴大產能，7nm晶片又將試產，所以才說中芯將進入發展的快車道。對此。你們怎麼看，歡迎留言、點贊、分享。