雖然在這些年來，隨著我們國家企業在半導體上的不斷髮力之下，我們的半導體成績已然有了很大的提升。但儘管如此，在製造晶片所需的光刻機方面，我們對

EUV

光刻機的獲得難度還是較高。這主要源於

ASML

所生產的光刻裝置中也有其他國家的技術。

其中美方的光源技術，就佔比超過了

20

％。而按照美方的規則來說，

ASML

想要出貨光刻機就需要獲得相關的許可。

不過儘管我們獲得

EUV

光刻機的難度較高，但是

ASML

對於我們中國市場一直都比較“示好”。比如說起執行長，就多次表示要加大在我們國內的投資。與此同時，其還表示向我們國家出口的光刻機裝置已經達到了

1000

臺。

再比如說，在前段時間的上海進博會上，

ASML中國區的總裁沈波也表示：除了EUV的光刻機裝置之外，其他的光刻機產品都可以自由的對中國出貨。

ASML

對中國市場的“示好”很好理解，除了擔憂會被中國市場排除在外，同時也擔憂在我們國內光刻機技術不斷提升之下，今後會對

ASML

光刻機的地位造成影響。所以，

ASML

才會幾次三番的和我們中國市場“交好”。

只是在ASML的“示好”之後，美方卻增加了一個“新規”。

事情還得從

SK

海力士引進

EUV

光刻機的事情說起，本來

SK

海力士獲得

EUV

光刻機是不需要任何許可的。但是這一次卻被美方阻止。理由是

SK

海力士所引入的

EUV

光刻機將要用到國內的無錫工廠擴建上。相當於說，

現在美方在對於EUV光刻機的出貨上又發生了變化，以前是國內企業獲得光刻機需要許可，現在又增加了一個“新規”——只要在中國市場上使用，都需要經過美方的許可。

表面上來看，這是在阻止

SK

海力士，但實際上卻意味著我們國內的晶片企業在引入

EUV

光刻機上依舊是一個難題。在這種情況下，看來當初中國院士倪光南說“堅持自研才是出路”這句話是沒有錯的，

我們現在不能幻想在有一天美方可以開啟對我們EUV光刻機的限制，我們只能期待自己能夠研究出高階的光刻機來。

好在就目前來說，我們在光刻機上的實力提升是很明顯的。就拿上海微電子來說，其自研發的浸沒式光刻裝置，據悉透過多重的曝光技術之後，也能夠實現

7nm

及以上製程節點晶片的製造。那麼在這種有前景的情況下，我們國內自研發的高階光刻機或將很快走上市場規模化的狀態。

而小編希望這一天能夠在不久後的將來到來。

最後，對於美方這次所增加的“新規”，你們是如何看待的呢？歡迎留言評論、點贊和分享！