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近些年來，加速推動晶片國產化已經成為中國的一個重要目標。近期，我國晶片製造的關鍵裝置又取得了一大突破。

新華視點近期引用中國電子科技集團有限公司稱，該集團旗下的裝備子集團已經成功實現離子注入機全譜系產品國產化。

分析指出，這一突破將為我國晶片製造產業鏈補上重要一環，讓我國在晶片製造領域全譜系離子注入機實現自主創新發展，對於緩解我國在晶片製造領域斷鏈的難題有著重要意義。

由此可見，這一突破對於推動我國晶片國產化程序，有著重要意義。值得一提的是，在實現這一突破之後，“國家隊”再次出手，以推動中企在高階晶片、核心軟體等領域的發展。

週五（3月19日）最新報道指出，近期國資委在其發出的通知中提到，將加快攻克核心電子元器件、高階晶片和核心軟體等短板。

在具體規劃方面，國資委週五表示，該機構將按照“能給盡給、應給盡給”的原則，加大支援力度，引導中企加快攻關步伐。

同時，該機構還將支援企業按照市場化原則，在關鍵環節、核心技術等方面，透過專業化的整合和併購重組等方式，補齊產業鏈供應鏈的短板

。從國資委的表態可以看出，加大對企業的支援以推動晶片國產化程序，已經刻不容緩。

有了“國家隊”的引導和支援，中國晶片國產化程序勢必還將進一步加快

。相比之下，美國晶片巨頭英特爾在7nm晶片製程中卻開始落後於臺積電和三星。對此，英特爾曾喊話美國政府，呼籲其加大對晶片製造的投資，不過目前美國似乎仍未響應該企業的請求。

文 | 陸爍宜 題 |徐曉冰 圖 | 饒建寧 審 | 陸爍宜