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EV 元件綜述:新晶片產生更安靜、更高效的高階駕駛輔助系統

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電動汽車製造商正在一次一個晶片地開發更舒適、效能更高的汽車。

在這裡,我們將重點介紹一種新的 MEMS 感測器、基於 SiC 的功率模組和雷達收發器。

最近,湧入了許多新穎的汽車解決方案,這些解決方案有望將電動和自動駕駛汽車提升到一個新的水平。

此類解決方案包括汽車感測器和強大的收發器,以提高自動駕駛的效能和便利性。

與此同時,最新的汽車創新可能會加速下一代汽車的設計規範和要求。

例如,意法半導體的

新型振動感測器

旨在為汽車提供聲學舒適的無縫駕駛體驗。

本文著眼於新的汽車解決方案,例如 ST 最近推出的振動感測器。

ST的降噪感測器讓電動汽車更安靜

為了減少電動汽車振動引起的噪音,意法半導體推出了一種

汽車 MEMS 加速度計感測器

,該感測器經過最佳化,可準確控制和消除車內聲學環境中的噪音。

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AIS25BA。圖片由意法半導體提供

據說,MEMS 感測器 AIS25BA(

資料表

)透過利用主動噪聲控制 (ANC) 技術來改善車輛的

道路噪聲消除系統

該技術將降噪演算法與感測器結合使用,感測器測量環境聲音並使用充當抗振動(消除)聲音的降噪波形消除振動。

由於採用了 ANC 技術,3 軸數字加速度感測器在 X 軸和 Y 軸以 30 g/√Hz 和 Z 軸以 50 g/√Hz 記錄超低噪聲密度。

振動感測器具有 266 s 的低延遲值。

它還具有一個時分複用 (TDM) 數字介面,可同步來自多個加速度計的系統輸出,這些加速度計測量整個車輛的振動。

該產品的滿量程測量範圍為±3。85 g 至±7。7 g。

它還可以在 1。71 V 的最小輸入電壓下工作。

該產品符合 AEC-Q100 標準,採用 14 引腳 2。5 mm x 2。5 mm x 0。86 mm LGA 封裝。

EV 車載充電器與 onsemi 的基於 SiC 的功率模組相遇

由於其強大的電氣特性,碳化矽等寬頻隙材料通常是製造 EV 電源模組的首選。

Onsemi 最近推出的一款基於碳化矽的電動汽車產品來自其新

的 APM32 系列功率模組

這些電源模組專為用於所有型別電動汽車的車載充電和高壓 (HV) DC-DC 轉換而設計。

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APM32系列H橋電源模組。 圖片由onsemi提供

APM32系列包括三款產品:

NVXK2TR40WXT

NVXK2TR80WDT

NVXK2KR80WDT

據 Onsemi 介紹,APM32 功率模組是第一款將 SiC 技術應用於傳遞模塑封裝的商用功率模組,以提高效率並縮短電動汽車的充電時間。

該系列專為高功率 11–22 kW 車載充電器 (OBC) 而設計。

Onsemi 的副總裁兼汽車電源解決方案總經理 Fabio Necco 表示,該系列利用 SiC 技術將損耗和整體系統體積降至最低。

NVXK2TR40WXT 和 NVXK2TR80WDT 配置為 H 橋拓撲,並在 OBC 和 HV DC-DC 轉換級中得到應用,而 NVXK2KR80WDT 配置為 Vienna 整流器拓撲。

這些模組符合 AEC-Q101 和 AQG 324 的汽車使用標準,採用雙列直插式封裝 (DIP)

NXP 釋出用於 ADAS 的雷達收發器

我們將研究的最後一個汽車解決方案來自 NXP。

該公司最新的汽車解決方案 TEF82xx(情況

說明書

)是其第二代 77 GHz

RFCMOS 雷達收發器

它具有三個發射器、四個接收器、ADC 轉換、一個相位旋轉器和一個低相位噪聲 VCO。

此外,它還覆蓋了從 76 GHz 到 81 GHz 的雷達頻段。

憑藉其高射頻效能,該產品可以覆蓋超過 300 m 的距離,並以更精細的解析度檢測、分離和分類較小的物體,低至亞度級別。

當與

S32R 雷達處理器

整合時,據說TEF82xx RFCMOS 雷達收發器可提供生產就緒型成像雷達解決方案所需的精細角解析度、處理能力和範圍。

恩智浦副總裁兼 ADAS 總經理 Steffen Spanagel 談到這一發展時表示,將

TEF82xx 雷達收發器

與 S32R45 處理器整合可以使 OEM 實現高達 300 m 或更長的範圍,並在高空方位角和仰角方面具有亞度解析度。 -高效能成像雷達應用。

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TEF82xx RFCMOS 框圖。圖片由恩智浦提供

TEF82xx 封裝在嵌入式晶圓級球 (e-WLB) 網格陣列中,是一款符合 ISO 26262 標準的器件,目標為 ASIL B 級。